Utkin D.E. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, 630090, Russia について
Utkin D.E. について
Novosibirsk State University, Novosibirsk, 630090, Russia について
Anikin K.V. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, 630090, Russia について
Veber S.L. について
Novosibirsk State University, Novosibirsk, 630090, Russia について
Veber S.L. について
International Tomography Center SB RAS, 3а Institutskaya Str., 630090, Novosibirsk, Russia について
Shklyaev A.A. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, 630090, Russia について
Shklyaev A.A. について
Novosibirsk State University, Novosibirsk, 630090, Russia について
Optical Materials について
円板 について
屈折率 について
反射スペクトル について
誘電体 について
ゲルマニウム について
波長 について
多結晶 について
光反射 について
ナノ粒子 について
微小共振器 について
共振モード について
シリコンウエハ について
ボトムアップ について
有効屈折率 について
誘電体メタ表面 について
ゲルマニウムナノ粒子 について
ナノフォトニクス について
反射防止 について
光物性一般 について
ゲルマニウム について
ナノ共振器 について
光反射 について
アスペクト比 について
依存性 について