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J-GLOBAL ID：202002234103965275   整理番号：20A1744859

印刷Liイオンアノード用のテーラードシリコン/炭素化合物【JST・京大機械翻訳】

Tailored Silicon/Carbon Compounds for Printed Li-Ion Anodes

著者 (12件)： Sukkurji Parvathy Anitha (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Issac Ibrahim (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Singaraju Surya Abhishek (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Velasco Leonardo (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Hagmann Jasmin Aghassi (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Hagmann Jasmin Aghassi (Institute of Applied Research, Offenburg University of Applied Sciences, Badstrasse 25, 77652, Offenburg, Baden-Wuerttemberg, Germany) ,  Bessler Wolfgang (Institute of Energy Systems Technology (INES), Offenburg University of Applied Sciences, Badstrasse 25, 77652, Offenburg, Baden-Wuerttemberg, Germany) ,  Hahn Horst (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Hahn Horst (KIT-TUD Joint Research Laboratory Nanomaterials Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt (TUD), 64206, Darmstadt, Hessen, Germany) ,  Botros Miriam (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Breitung Ben (Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Breitung Ben (Karlsruhe Nano Micro Facility, Karlsruhe Institute of Technology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
資料名： Batteries & Supercaps  (Batteries & Supercaps)
巻： 3  号： 8  ページ： 713-720  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3664A  ISSN： 2566-6223  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)は次世代のリチウムイオン電池アノードの有望な活性材料であることが判明した。それにもかかわらず,電極材料としてSiから知られている課題(パルス化効果,体積変化など)は,市場成熟に達するためのSiアノードの開発を妨げる。本研究では,低電力プリント電子応用におけるSiアノードの適用可能性を調べた。Tailored Siインクを製造し,印刷Siアノードとしての印刷性とその電気化学的挙動に及ぼす炭素被覆の影響を調べた。印刷されたSiアノードは,電解質ゲートトランジスタのような印刷電子素子に実用的である活性材料負荷を含み,高い容量保持を示すことができる。1754mAh/g_Siの容量を100サイクル後の印刷Siアノードで達成した。さらに,印刷したSiアノードの直接適用性を,インクジェットプリントトランジスタを成功裡に出力することによって示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  *印刷 ,  *ケイ素 ,  電気化学的挙動 ,  インク ,  *炭素化合物 ,  電解質 ,  電極材料 ,  電子技術 ,  インクジェット印刷 ,  パルス化 ,  電池容量 ,  *アノード ,  リチウムイオン電池
準シソーラス用語： 電子素子 ,  容量保持 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 印刷 ,  シリコンアノード ,  炭素コーティング ,  リチウムイオン電池 ,  二次電池 ,  印刷エレクトロニクス

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Li ,  イオン ,  アノード ,  炭素化合物