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J-GLOBAL ID：202002234166145533   整理番号：20A2211070

4H-SiC UV検出器の性質に及ぼす15MeV陽子による照射効果【JST・京大機械翻訳】

Effect Irradiation with 15 MeV Protons on Properties of 4H- SiC UV Detectors

著者 (7件)： Kalinina Evgenia V. (Ioffe Institute, St.Petersburg Russian Federation) ,  Lebedev Alexander A. (Ioffe Institute, St. Petersburg Russian Federation Politekhnicheskaya ul. 26) ,  Kozlovski Vitalii V. (St. Petersburg State Polytechnical University, Department of Experimental Physics St. Petersburg Russian Federation) ,  Zabrodski Vladimir (Ioffe Institute, St.Petersburg Russian Federation) ,  Nikolaev Andrei (Ioffe Institute, St.Petersburg Russian Federation) ,  Shvarts Maxim Z. (Ioffe Institute, St.Petersburg Russian Federation) ,  Levina Svetlana (Ioffe Institute, St.Petersburg Russian Federation)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 1004  ページ： 1104-1108  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV4H-SiC光検出器のスペクトル特性に及ぼす(1~40)01012cm-2のフルエンスを有する15MeVのエネルギーを有する陽子による照射の影響を考察した。ショットキー障壁を有するフォトダイオードを,n+-4H-SiC基板上に成長した非補償ドナーN_d-N_a=(1~4)01014cm-3の濃度を有するCVDエピタキシャル層を有する4H-SiC構造上に20nmの厚さと8mmの直径を有する熱真空スパッタリングによって形成した。UV光検出器は,局所クラスタと非晶質領域による簡単な放射欠陥のゲッタリングと照射材料の部分構造改善により,光感度改善で401013cm-2のフルエンスで陽子による照射に耐えた。2000Cの温度で401012cm-2のフルエンスを有する15MeV陽子による光検出器の照射は,付加的な欠陥再配列のため,250Cで類似のモードで照射された試料と比較して,量子効率の増加につながった。Copyright 2020 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  紫外線 ,  ドナー ,  光検出器 ,  フォトダイオード ,  *陽子 ,  *炭化ケイ素 ,  非晶質 ,  クラスタ ,  ゲッタリング ,  量子効率 ,  フルエンス
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  光感度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 照射 ,  温度 ,  量子効率 ,  光検出器 ,  放射線欠陥 ,  陽子

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  UV検出 ,  性質 ,  陽子 ,  照射効果