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J-GLOBAL ID:202002234371582324   整理番号:20A1833028

AlGaN表面相分離の同位微小領域蛍光スペクトルと高空間解像表面電位キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of phase separation on AlGaN surfaces by in-situ photoluminescence spectroscopy and high spatially resolved surface potential images
著者 (11件):
資料名:
巻: 69  号: 12  ページ: 313-321  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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AlGaNは,深紫外光電子デバイスと電子デバイスを作製するための重要な材料である。Al成分の増加に伴い、AlGaN材料の表面は局部成分の不均一相分離現象が現れやすく、さらにデバイスの性能に影響する。相分離の微視的機構を探るため、同位の共焦点微小領域蛍光スペクトルと走査ケルビンプローブ顕微鏡法を利用して、異なるAl成分のAlGaN表面相分離現象について、キャラクタリゼーションを行った。3つのサンプルのAl成分比は,それぞれ約0.3,0.5および0.7であった。二重周波数ロックに基づく単一走査ケルビンプローブ顕微鏡を用いて,高空間分解能(約10nm)の表面ポテンシャルを得た。微小領域の蛍光スペクトルに明らかな相分離現象が現れた区域は、この方法で得られた表面電位像は、犬歯の千鳥のステップと表面ピットのエッジの電位の変化を明らかに観察でき、成分の不均一性に対応する。ステップがステップ流に移るにつれ、表面ピットが次第に縮小し、合体し、ステップとピットのエッジに明らかなポテンシャルドメイン境界が現れず、スペクトル中の相分離の現象が消失した。実験結果から、AlGaN表面のステップとピットエッジは成分不均一性を生じ、スペクトル中に相分離現象が生じる主な原因であることが分かった。高分解能の走査ケルビンプローブ顕微鏡は,同じ位置の微小領域の蛍光スペクトルと結びつけて,AlGaNの相分離の微視的機構を効果的に特性評価する方法である。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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