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J-GLOBAL ID：202002234505615641   整理番号：20A2052880

一方向熱流定常比較法によるCu貼りSi₃N₄基板の熱抵抗評価

Evaluation of thermal resistance for Cu-bonded Si₃N₄ substrate by steady state comparative longitudinal heat flow method

著者 (3件)： 徳橋恵祐 (日本製鉄) ,  木村圭一 (日本製鉄) ,  小林孝之 (日本製鉄)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2020  ページ： ROMBUNNO.3L02  発行年： 2020年03月02日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 電力モジュールのための絶縁基板は,より高い熱放散を持つために必要とされる。市販...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  接着 ,  *熱抵抗 ,  熱伝導率 ,  熱伝導 ,  熱放射 ,  ダイヤモンド ,  加熱器 ,  *銅 ,  熱流束 ,  ろう材 ,  はんだ ,  水冷 ,  *窒化ケイ素 ,  *熱流

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱流 ,  比較法 ,  Cu ,  Si3N4 ,  熱抵抗 ,  評価