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J-GLOBAL ID：202002234540120501   整理番号：20A2621252

ウエハスケール低損失ニオブ酸リチウムフォトニック集積回路【JST・京大機械翻訳】

Wafer-scale low-loss lithium niobate photonic integrated circuits

著者 (6件)： Luke Kevin (HyperLight,Cambridge,Massachusetts,USA,02139) ,  Kharel Prashanta (HyperLight,Cambridge,Massachusetts,USA,02139) ,  Reimer Christian (HyperLight,Cambridge,Massachusetts,USA,02139) ,  He Lingyan (HyperLight,Cambridge,Massachusetts,USA,02139) ,  Loncar Marko (Harvard University,SEAS,Cambridge,Massachusetts,USA,02138) ,  Zhang Mian (HyperLight,Cambridge,Massachusetts,USA,02139)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IPC  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日まで,モノリシック薄膜ニオブ酸リチウム光-張集積回路(LN PIC)は,チップスケールの証明概念に限られていた。深紫外リソグラフィーで4および6インチウエハ上にLN PICを作製し,滑らかで均一なエッチングを示した。ウエハスケールで0.27dB/cm光伝搬損失を達成した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *集積回路 ,  薄膜 ,  *光集積回路 ,  リソグラフィー ,  *ニオブ酸リチウム
準シソーラス用語： 深紫外線 ,  伝搬損失 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウエハ ,  スケール ,  低損失 ,  ニオブ酸リチウム ,  フォトニック集積回路