ArFリソグラフィー性能強化のための新しい”高透過”位相シフトマスク【JST・京大機械翻訳】

Yonemaru Naoto; Matsui Kazuaki; Kojima Yosuke; Nagatomo Tatsuya; Yamana Mitsuharu

文献

J-GLOBAL ID：202002234559661357 整理番号：20A2488197

ArFリソグラフィー性能強化のための新しい”高透過”位相シフトマスク【JST・京大機械翻訳】

A novel ”high-transmission” phase shift mask for ArF lithographic performance enhancement

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資料名：
巻： 11518 ページ： 115180B-9 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

次世代リソグラフィーの必要性の増大でも,ArFリソグラフィーは,依然として臨界層の大部分に適用される。しかし,ウエハ設計が収縮するので,従来の6%位相シフトマスク(PSM)は,高密度線パターンと比較して,高密度ドットパターンに対するリソグラフィー要求を十分に満たすことができない。ドットパターンに対するArFリソグラフィー性能を高めるために,PSMの伝送がリソグラフィー性能(1~4)に大きな影響を与えるので,高透過位相シフトマスク(高T PSM)が注目されている。マスク3Dシミュレーションによる伝送依存性の評価結果から,30%の伝送がドットパターンに対して最良のリソグラフィー性能を有することが分かった。これらの結果に基づいて,新しい30%PSMのマスクブランクとマスク製造プロセスを開発した。結果は,良好な断面プロファイル,マスクパターン分解能および欠陥修復性を示した。さらに,化学洗浄とArF照射に対する耐久性も改善された。負の音色発生を用いたウエハ印刷性試験は,新しいPSMがプロセスウィンドウと高密度ドット(ウエハ上のホール)のMEEFに利点を持つことを示した。最後に,新しい30%PSMの更なる応用の可能性をマスク3Dシミュレーションによって研究した。結果は,新しい30%PSMが,高密度ドットだけでなく,他のパターンに対しても,リソグラフィーの利点を有することを示した。新しい30%PSMは,5nmノードまたはhp1XnmのArFリソグラフィー性能を増強できる強力な候補である。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般

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