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J-GLOBAL ID：202002235082382560   整理番号：20A2804247

金属基板上のグラフェンの分子修飾:電気化学的欠陥挿入と表面欠陥の評価【JST・京大機械翻訳】

Molecular Modification of Graphene on Metal Substrate: Electrochemical Defect Insertion and Evaluation of Surface Defects

著者 (3件)： FUKUSHIMA Tomohiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KOMAI Takaha (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MURAKOSHI Kei (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 59th  ページ： 32  発行年： 2020年09月10日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： グラフェンの構造は,それらの特性を決定するために重要である。グラフェンの構造的および電子的特性を制御するために,化学構造の改質が必要である。通常,ジアゾニウム塩の還元電位によるグラフェンの官能化にジアゾニウムグラフト化法を利用した。しかし,...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  電流 ,  アノード酸化 ,  銅 ,  白金 ,  電極電位 ,  *電気化学 ,  二次元 ,  Raman分光法 ,  官能化 ,  アンダポテンシャル電着 ,  アノード ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ジアゾニウム化合物 ,  Dバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金属基板 ,  グラフェン ,  分子 ,  修飾 ,  電気化学 ,  欠陥 ,  表面欠陥 ,  評価