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J-GLOBAL ID：202002235090296004   整理番号：20A1879850

DWELLにおけるInAs量子ダッシュと量子ドット間のキャリア局在化効果の比較(dasses-or dot-in-a-well)配置【JST・京大機械翻訳】

Comparison of carrier localization effects between InAs quantum dashes and quantum dots in a DWELL (dashes- or dots-in-a-well) configuration

著者 (8件)： Addamane S.J. (Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  Rashidi A. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106, USA) ,  Mansoori A. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106, USA) ,  Dawson N.M. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106, USA) ,  Shima D.M. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106, USA) ,  Rotter T.J. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106, USA) ,  Wang G.T. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  Balakrishnan G. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87106, USA)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 124  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダッシュ-またはドット-イン-ウエル(DWELL)配置でGaAs上に成長したInPとInAs量子ドット(QDots)上に成長したInAs量子ダッシュ(QDash)の光学的性質を,温度依存光ルミネセンス(PL)測定を用いて比較研究した。励起子エネルギー,スペクトル帯域幅および温度に関する積分強度のようなPL特性における傾向は,2つの系間で明らかに異なることが分かった。局所状態集合における励起子再結合と熱伝達を含む速度方程式モデルを用いて,実験データを定量的に解釈した。これらの結果は,この立体配置のQDashが,QDotsと比較して,より低い程度のキャリア局在化と一致するPL特性を示すことを示唆する。また,2つのナノ構造間の形状/サイズ差を強調する予備的な構造解析を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  再結合 ,  熱伝達 ,  光ルミネセンス ,  励起子 ,  ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  リン化インジウム ,  帯域幅 ,  レート方程式 ,  ナノ構造 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *量子ダッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 量子ダッシュ ,  量子ドット ,  温度依存光ルミネセンス ,  キャリア局在化 ,  レート方程式モデル

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Dwell ,  InAs ,  量子ダッシュ ,  量子ドット ,  キャリア ,  局在化 ,  DOT