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J-GLOBAL ID：202002235162359738   整理番号：20A1884396

実験結果と第一原理計算によるGaAsおよびAlAs原子層エピタキシャル成長機構の解明

Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

著者 (6件)： Ohtsuka Nobuyuki (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Oda Masato (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Eshita Takashi (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Eshita Takashi (Fujitsu Semiconductor Limited, Yokohama 222-0033, Japan) ,  Tanaka Ichiro (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Itoh Chihiro (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SG  ページ： SGGK16 (4pp)  発行年： 2020年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsとAlAs原子層エピタキシー(ALE)では,1回のALEサイクルでAlAs層が2単層(2ML)で堆積するのに対し,GaAs層は1MLで堆積することが実験的に明らかになった。この成長メカニズムを解明するために,密度汎関数理論に基づく第一原理全エネルギー計算により,GaAs(100)表面上のGaとAl原子の安定性を比較した。吸着エネルギーを比較した結果,1MLでAs終端GaAs表面にGaとAlが安定に吸着することが分かった。また,2MLのAs終端GaAs(100)表面にAlが吸着することも明らかになったが,これは,余剰のAl原子が金属Al(110)の平面構造を形成して吸着するためである。これらの結果は,ALE-GaAsとALE-AlAsの実験結果をよく説明している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 計算 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  *原子層エピタクシー ,  単一層 ,  *機構 ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー ,  成端 ,  表面 ,  第一原理計算 ,  半導体表面
準シソーラス用語： 実験結果 ,  原子層エピタキシャル成長 ,  *成長メカニズム ,  密度汎関数理論 ,  第一原理全エネルギー計算 ,  終端

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 実験結果 ,  第一原理計算 ,  GaAs ,  AlAs ,  原子層エピタキシャル成長