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J-GLOBAL ID:202002235251108063   整理番号:20A2115762

β-Ga2O3のバルクおよびナノ単結晶の作製および評価

Preparation and evaluation of bulk and nano single crystalline
著者 (7件):
資料名:
巻: 2019  ページ: 180-181  発行年: 2020年08月28日 
JST資料番号: L3700B  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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β-Ga2O3ナノ材料を,焼結および単結晶β-Ga2O3の開始材料から光学浮遊帯装置を用いAr,N2およびHeのガス雰囲気の条件の下で合成した。ナノ材料の形状およびサイズは開始材料と雰囲気ガスの種類を最適化することで制御できることを見出した。製造したβ-Ga2O3ナノ材料の成長機構,成長方向および面,および結晶度を調べた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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セラミック・陶磁器の製造 
引用文献 (3件):
  • T. Shishido, T. Sugawara, A. Nomura, S. Kurosawa, K. Yubuta, A. Yoshikawa, J. Flux Growth, 13 (2018) 60.
  • K. Hori, S. Kohiki, T. Shishido et al., J. Alloys Compds., 1-2 (2005) 261.
  • 宍戸統悦, 菅原孝昌, 野村明子, 黒澤俊介, 湯葢邦夫, 吉川 彰, 第14回日本ホウ素・ホウ化物研究会・発表要旨集“無機化合物一般 P-04”(2020) 36.
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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