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J-GLOBAL ID：202002235351738327   整理番号：20A1567911

YbCu₂Ge₂の20GPaまでの高圧におけるf電子状態の光学伝導率研究

Optical Conductivity Study of f Electron States in YbCu₂Ge₂ at High Pressures to 20 GPa

著者 (6件)： OKAMURA Hidekazu (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  NAGATA Makoto (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  TSUBOUCHI Atsushi (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  ONUKI Yoshichika (Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  IKEMOTO Yuka (Japan Synchrotron Radiation Res. Center, Hyogo, JPN) ,  MORIWAKI Taro (Japan Synchrotron Radiation Res. Center, Hyogo, JPN)
資料名： JPS Conference Proceedings (Web)  (JPS Conference Proceedings (Web))
巻： 30  ページ： ROMBUNNO.011120 (WEB ONLY)  発行年： 2020年03月19日 
JST資料番号： U1201A  ISSN： 2435-3892  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・伝導電子とf電子の混成状態(c-f混成状態)について研究するために,YbCu₂Ge₂の光学伝導率σ(ω)の20GPaまでの圧力依存性を295Kで測定。
・常圧では,Fermi準位E_F以下に位置するf¹⁴(Yb²⁺)状態からの励起に対応する中赤外(mIR)ピークを0.37eVに観測。
・圧力増加とともにmIRピークは低エネルギー側に移動し,20GPaでは0.18eVまで変化。
・観測されたピークエネルギーE_mIRの圧力依存性をc-f混成エネルギーに基づいて解析。
・E_mIRの圧力変化は,10GPaまでの低圧力域では,f¹⁴状態がE_Fに向かう上部シフトに対応し,高圧力域では,c-f混成バンドの変化に対応する事を示唆。

シソーラス用語： *光学定数 ,  *金属間化合物 ,  *イッテルビウム化合物 ,  銅化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  圧力効果 ,  高圧 ,  Fermi準位 ,  電子 ,  伝導電子 ,  赤外スペクトル ,  *電子構造 ,  Kramers-Kronig関係式
準シソーラス用語： 4f電子 ,  圧力依存性 ,  *光学伝導率 ,  中赤外スペクトル

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高圧 ,  f電子 ,  光学伝導率 ,  研究