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J-GLOBAL ID：202002235380662103   整理番号：20A1077137

ZnSi_(1-x)m_xP_2の光電子応答に及ぼすM=(Ge,Sn)ドーピングの効果を調べるための密度汎関数研究【JST・京大機械翻訳】

Density functional investigations to study effect of M = (Ge, Sn) doping on opto-electronic response of ZnSi_{(1 - x)}M_xP₂

著者 (5件)： Khan Karina (Department of Physics, Manipal University Jaipur, Jaipur, 303007, Rajasthan, India) ,  Gaur Aditi (Department of Electrical Engineering, Manipal University Jaipur, Jaipur, 303007, Rajasthan, India) ,  Ahuja Ushma (Department of Electrical Engineering, NMIMS, Mukesh Patel School of Technology Management and Engineering, Mumbai, 400056, Maharashtra, India) ,  Soni Amit (Department of Electrical Engineering, Manipal University Jaipur, Jaipur, 303007, Rajasthan, India) ,  Sahariya Jagrati (Department of Physics, National Institute of Technology, Uttarakhand, Srinagar(Garhwal), 246174, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 208  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研究者は,光起電力応用のために必要なバンドギャップ範囲に似ている新しい潜在的材料の研究において十分な関心を示し,太陽光に暴露したときより高い変換率を実証した。本研究は,有望な光起電力ZnSiP_2材料の構造的,電子的および光学的性質に及ぼすM=(Ge,Sn)ドーピングの影響を同定することに焦点を合わせた。すべての調査は,確立された最も正確なフルポテンシャル線形化された平面波法を用いて行われた。純粋およびドープしたZnSi_(1-x)M_xP_2(M=GeおよびSn;0≦x≦1)の詳細な実現を,高度にimmaculate TranBlaha修正Becke-Johnson(TB-mBJ)交換および相関ポテンシャルを用いて実行した。研究したパラメータは,結晶構造,エネルギーバンド,状態密度,誘電テンソル,吸収,反射率および屈折スペクトルを含み,これらの化合物の完全な挙動を解明するのに役立つ。純粋なZnSiP_2(1.98eV)に対するTB-mBJから得られたエネルギーバンドギャップは,利用可能な理論的および実験的計算と正確に一致し,したがって,現在の計算の精度を検証した。SiサイトにおけるSnのドーピング割合(x=0.125~0.75)の増加は,光起電力応用におけるこの材料の利用可能性を増加させるバンドギャップ(1.96~1.81eV)値の系統的な減少をもたらすことが観察された。一方,類似のスケールのGeドーピングでは合理的な還元は観測されなかった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折 ,  結晶構造 ,  光起電力 ,  テンソル ,  反射率 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  太陽光 ,  平面波 ,  状態密度 ,  *密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *光電子

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  半導体化合物 ,  光学的性質 ,  太陽電池

分類 (2件)： 量子光学一般  (BD04010X) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子 ,  応答 ,  Ge ,  Sn ,  ドーピング ,  密度汎関数 ,  研究