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J-GLOBAL ID：202002235386747476   整理番号：20A2623358

LIDAR応用のためのGe-on-Siアバランシェフォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

Ge-on-Si Avalanche Photodiodes for LIDAR Applications

著者 (5件)： Wanitzek M. (Institute of Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart,Pfaffenwaldring 47, Stuttgart,Germany,70569) ,  Oehme M. (Institute of Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart,Pfaffenwaldring 47, Stuttgart,Germany,70569) ,  Schwarz D. (Institute of Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart,Pfaffenwaldring 47, Stuttgart,Germany,70569) ,  Guguieva K. (Institute of Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart,Pfaffenwaldring 47, Stuttgart,Germany,70569) ,  Schulze J. (Institute of Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart,Pfaffenwaldring 47, Stuttgart,Germany,70569)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MIPRO  ページ： 8-12  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自動車の自律運転を可能にするためには,即時周辺の正確な知識が必要である。近接場検出のための一つの技術はLIDAR(光検出と測距)技術である。現在利用可能なLIDARシステムは905nmの波長で動作する。しかし,1300nmの波長では,範囲分解能の著しい増加を達成した。ここでは,受信機側を典型的にAPD(アバランシェフォトダイオード)として実現した。本研究では,ゲルマニウム(Ge)から製造した吸収領域を有するAPDの作製と特性評価を示した。APDの層配列は,分子線エピタキシーシステムを用いてシリコン(Si)基板上に直接成長した。室温で,Ge-on-Si-APDは,1,310nmの波長で6A/Wまでの応答性を達成し,これは従来のGeフォトダイオードと比較して26の利得に対応する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  応答特性 ,  自動車 ,  *ゲルマニウム ,  受信機 ,  波長 ,  利得 ,  距離測定 ,  光検出 ,  キャラクタリゼーション ,  MBE成長 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  近接場 ,  *LIDAR
準シソーラス用語： *レーザレーダ ,  自律性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： LIDAR ,  応用 ,  Ge ,  Si ,  アバランシェフォトダイオード