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J-GLOBAL ID:202002235442647735   整理番号:20A0333163

Schottky接合に基づく熱光起電力-熱電子デバイス【JST・京大機械翻訳】

Schottky junction-based thermophotovoltaic-thermionic devices
著者 (5件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 055503 (7pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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熱的に放出された電子と光子を電気に同時に変換できるSchottky接合(SJ)ベースの熱光起電力-熱電子デバイス(SJTTD)の概念モデルを提案した。ここで,熱電子セル(TIC)はタングステンベースのカソードとアノードから成り,熱光起電力セル(TPVC)は熱エミッタとSJで作られている。熱エミッタはTICのカソードとして同時に作用し,アノード/p型シリコン界面はSJを形成する。TICに及ぼす空間電荷効果の影響とTPVCに及ぼす放射再結合を考慮した。統計物理学の理論に従って,SJTTDの全出力密度とエネルギー変換効率の解析式を導いた。最大出力密度と効率を2つのサブシステムのキーパラメータを最適化することによって数値的に計算した。さらに,パラメトリック最適基準を提供した。理想的および非理想的なSJTTDの最適動作状態を比較した。結果は,高い放射率を有するカソード材料の選択が性能を著しく強化できることを示した。提案したモデルは高効率ハイブリッド電子デバイスの開発に役立つ。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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太陽電池  ,  ダイオード  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (2件):
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