文献

J-GLOBAL ID：202002235444024510   整理番号：20A2239690

高濃度リンドープCZ-Si結晶におけるAs grown SiPの形成機構

Formation mechanism of the as-grown SiP in CZ-Si crystals with heavily doped phosphorus

著者 (4件)： 中村浩三 (岡山県大 地域共同研究機構) ,  仙田剛士 (グローバルウェーハズ・ジャパン) ,  成松真吾 (グローバルウェーハズ・ジャパン) ,  前田進 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15p-D411-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに] 我々は本会前報において高濃度にリンをドープしたCZ-Si結晶においては、as grown状態で高密度のSiPが存在し、それらがエピ欠陥の原因になることを報告した。本報告では、結晶成長プロセスにおいてSiPが形成されるメカニズム...【本文一部表示】

シソーラス用語： 凝集 ,  結晶成長 ,  点欠陥 ,  粒度分布 ,  *リン ,  *ドーピング ,  計算モデル
準シソーラス用語： 反応モデル ,  成長モデル ,  システムインパッケージ ,  高密度 ,  サイズ分布 ,  形成機構 ,  *高濃度 ,  過飽和度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高濃度 ,  Si結晶 ,  SiP