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J-GLOBAL ID：202002235523200009   整理番号：20A1283732

線形ドーピングPN型ダウンフィールド層を持つ新しいスロットゲートLDMOS【JST・京大機械翻訳】

Novel trench gate LDMOS with linear doped PN top layer

著者 (6件)： Yao Jiafei (南京郵電大学電子与光学工程学院,江蘇南京210023;南京郵電大学射頻集成与微組装国家地方聯合工程実験室,江蘇南京210023) ,  Zhang Zeping (南京郵電大学貝爾英才学院,江蘇南京,210023) ,  Guo Yufeng (南京郵電大学電子与光学工程学院,江蘇南京210023;南京郵電大学射頻集成与微組装国家地方聯合工程実験室,江蘇南京210023) ,  Yang Kemeng (南京郵電大学電子与光学工程学院,江蘇南京210023;南京郵電大学射頻集成与微組装国家地方聯合工程実験室,江蘇南京210023) ,  Zhang Zhenyu (南京郵電大学電子与光学工程学院,江蘇南京210023;南京郵電大学射頻集成与微組装国家地方聯合工程実験室,江蘇南京210023) ,  Deng Yu (南京郵電大学電子与光学工程学院,江蘇南京210023;南京郵電大学射頻集成与微組装国家地方聯合工程実験室,江蘇南京210023)
資料名： Nanjing Youdian Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Nanjing Youdian Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 39  号： 6  ページ： 22-27  発行年： 2019年 
JST資料番号： C3601A  ISSN： 1673-5439  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,高い破壊電圧と低いターンオン抵抗を得るために,線形ドーピングPN型ダウンフィールド層を有するスロットゲートLDMOSデバイス(LDPNTG-LDMOS)を提案した。線形ドーピングPN型ドロップフィールド層は,デバイスの表面電界を最適化し,電界ピークを減少し,その結果,デバイスの破壊電圧を向上できる。同時に、線形ドーピングPN型降下場層のN型ドリフト領域の補助空乏作用は、デバイスのドリフト領域のドーピング濃度を向上でき、それによって導通抵抗を低下させることができる。シミュレーションの結果は,通常のスロットゲートLDMOSと比較して,線形ドーピングPN型ドロップアウト層を有するスロットゲートLDMOSデバイスの破壊電圧が28%増加し,オン抵抗が50%低下することを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電場 ,  ドリフト ,  *ドーピング ,  線形性 ,  *弱磁場 ,  ターンオン ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *LDMOS ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 線形 ,  ドーピング ,  PN ,  ダウンフィールド ,  スロット ,  ゲート ,  LDMOS