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J-GLOBAL ID:202002235620198179   整理番号:20A1189735

架橋アミン重合体を用いた柔軟性トランジスタ用カーボンナノチューブ薄膜の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Carbon Nanotube Thin Films for Flexible Transistors by Using a Cross-Linked Amine Polymer
著者 (7件):
資料名:
巻: 26  号: 28  ページ: 6118-6121  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0744A  ISSN: 0947-6539  CODEN: CEUJED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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それらの顕著な特性のために,単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(SWCNT-TFT)は様々なフレキシブルエレクトロニクス応用に使用されると期待されている。TFTのSWCNTチャネル層を作製するために,アミノ基で覆われた自己集合単分子層(SAM)上の溶液ベースの膜形成が一般的に用いられている。しかし,この方法は柔軟な高分子基板に適さない高度に酸化された表面を用いる。本研究では,メトキシカルボニルポリアリルアミン(Moc-PAA)を用いた溶液ベースSWCNT膜作製について報告した。架橋Moc-PAA層のNH_2終端表面は,剛性と柔軟性の両方の基板上に高密度で均一なSWCNTネットワークの形成を可能にした。作製したSWCNT薄膜を用いたTFTは小さな変化で優れた性能を示した。SWCNT薄膜にアクセスする簡単な方法は,フレキシブルなナノエレクトロニクスの実現を加速する。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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