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J-GLOBAL ID：202002235669345105   整理番号：20A2730820

細孔構造により調整したアルミニウムドープZnOの熱電性能における顕著な増強【JST・京大機械翻訳】

Significant Enhancement in the Thermoelectric Performance of Aluminum-Doped ZnO Tuned by Pore Structure

著者 (8件)： Zhou Bo (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Zhou Bo (Department of Radiotherapy, Henan Provincial People’s Hospital, People’s Hospital of Zhengzhou University, Henan, China) ,  Chen Lili (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Li Chongyang (College of Electric Power, North China University of Water Resources and Electric Power, China) ,  Qi Ning (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Chen Zhiquan (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Su Xianli (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China) ,  Tang XinFeng (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 46  ページ： 51669-51678  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,2原子%AlドープZnO(AZO)を,放電プラズマ焼結(SPS)処理と共に共沈法により調製した。合成したままのAZO粉末は中空六角形塔の形態を示し,400°CでSPS焼結によって固化したバルク試料で50.6%の高い多孔性をもたらし,1000°Cまで焼結温度を上げると多孔性は徐々に低下した。陽電子消滅測定は,1000°Cでの焼結後でさえ,かなりの数の小さい細孔が存在することを明らかにした。3×105S/mの高い電気伝導率を1000°Cで焼結したAZO試料に対して室温で達成したが,Seebeck係数の絶対値は27~500°Cの測定温度範囲で59~144μVK-1の間で比較的高い値を保ち,3.4×10-3Wm-1K-2の高い力率をもたらした。他方,AZO中の細孔は強いフォノン散乱中心として作用し,室温で測定した1.5Wm-1K-1の非常に低い熱伝導率が400°Cで焼結したAZOで得られた。1000°C焼結試料中の残留細孔のため,熱伝導率は,まだ比較的低い。その結果,500°Cで測定した最大ZTは,この試料で得られ,これはこの温度付近でZnOで報告された最高のZTである。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼結 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  粉体 ,  陽電子消滅 ,  力率 ,  *酸化亜鉛 ,  塔状構造物 ,  共沈 ,  細孔 ,  絶対値 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  フォノン散乱 ,  焼結温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlドープZnO ,  空隙率 ,  スパークプラズマ焼結 ,  熱電 ,  陽電子消滅

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 細孔構造 ,  アルミニウム ,  ドープ ,  ZnO ,  増強