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J-GLOBAL ID：202002235725445097   整理番号：20A0406772

照射ゲルマニウム中に形成されたフラクタル図形の温度と組成への依存性【JST・京大機械翻訳】

The dependence of fractal figures formed in irradiated germanium on temperature and composition

著者 (1件)： El-Sayed Samy A (New materials and renewable energy Lab., Phys. Dept., Faculty of Science, Beni-Suef University, Beni Suef, 62514, Egypt)
資料名： Materials Research Express  (Materials Research Express)
巻： 6  号： 12  ページ： 126318 (11pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5570A  ISSN： 2053-1591  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： γ量子を照射したp型Geに対して温度(T)範囲(300K~1.7K)で測定したdc伝導率(σ)および/または反応器中性子の大きなフルエンスを測定した。得られた伝導率の結果は,異なる伝導率機構の活性化エネルギーがE_1>E_2>E_3およびσ_o>σ_1>σ_2であることを明らかにした。また,Meyer-Neldel則(MNR)は異なる伝導機構に適用できる。また,各伝導率機構に対するMeyer-Neldelエネルギー(H_MNR)の異なる値を持つホッピング伝導機構においても同様に。Mott可変範囲ホッピング(VRH)σ=f(T~-0.25),およびホッピング伝導の伝導(ESPMC)σ=f(T~-0.5)のEfross Shorskii Percolation機構(T~-0.5)。ホッピング伝導のこれら二つの機構間のクロスオーバを観測した。スケーリング理論は伝導機構の大部分の温度範囲とホッピング伝導機構に適用できる。Mott(VRH)に対する得られた臨界指数は3.6に等しい。伝導(PMC)のEfros-Shkolovskii(ES)パーコレーション機構に対して,臨界指数は1.74に等しい。本試料で形成されたMandelbrotフラクタル系は温度と組成依存性である。走査型電子顕微鏡(SEM)の結果は,照射したゲルマニウム中に形成されたフラクタル図形が組成と照射フルエンスに依存することを確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 中性子 ,  *ゲルマニウム ,  フルエンス ,  活性化エネルギー ,  反応器 ,  パーコレーション ,  *フラクタル ,  臨界指数 ,  ホッピング伝導 ,  走査電子顕微鏡 ,  *温度依存性
準シソーラス用語： 組成依存性 ,  温度範囲 ,  クロスオーバー ,  伝導機構 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  フラクタル図形 ,  組成 ,  依存性