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J-GLOBAL ID:202002235729775661   整理番号:20A2539593

Na前蒸着処理を有する透明基板上の10%高効率ワイドバンドギャップCIGSe太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Over 10% Efficient Wide Bandgap CIGSe Solar Cells on Transparent Substrate with Na Predeposition Treatment
著者 (18件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: e2000284  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3682A  ISSN: 2367-198X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新しい光起電力応用の最近の上昇により,Cu(In,Ga)Se_2のような薄膜技術に対する特定の光電子特性を開発し,それらの高度の同調性を利用する必要がある。透明導電性酸化物基板上の効率的なワイドバンドギャップ吸収体の実現可能性は,その意味で,非常に重要である。事前堆積ナトリウム処理に基づくオリジナルアプローチを用いて,スパッタリングにより作製されたCu(In,Ga)Se_2吸収体とGa(Ga+In)含有量が0.7以上の反応性アニーリングと1.4eV以上の光学バンドギャップを透明フッ素ドープ酸化スズ膜上に堆積し,接触のオーム性を保存する超薄MoSe_2層を挿入した。異なる材料キャラクタリゼーションを行い,吸収体の徹底的なRaman分析は,ナトリウム前処理が,膜のモルフォロジーと結晶品質を著しく改善すると共に,黄銅鉱マトリックスへのGaの取り込みを著しく高めることを明らかにした。これは,特に電圧とフィルファクタにおいて,Naなしの参照デバイスと比較して,得られた太陽電池に対する光起電力性能の特別なブーストに翻訳する。最終的に,10%を超える効率が反射防止被覆なしで得られ,記録値は非透明基板上の最先端とのギャップを埋める。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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