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J-GLOBAL ID：202002235759514010   整理番号：20A2739022

AlNテンプレート上に成長したn-Al_0.7Ga_0.3N層に形成されたGaリッチ電流経路の詳細解析

Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al_0.7Ga_0.3N layer grown on an AlN template with dense macrosteps

著者 (15件)： Nagasawa Yosuke (UV Craftory Co., Ltd., Bldg. D, 2-98 Yashirodai, Nagoya 465-0092, Japan) ,  Hirano Akira (UV Craftory Co., Ltd., Bldg. D, 2-98 Yashirodai, Nagoya 465-0092, Japan) ,  Ippommatsu Masamichi (UV Craftory Co., Ltd., Bldg. D, 2-98 Yashirodai, Nagoya 465-0092, Japan) ,  Sako Hideki (Toray Research Center, Inc., Otsu 520-8567, Japan) ,  Hashimoto Ai (Toray Research Center, Inc., Otsu 520-8567, Japan) ,  Sugie Ryuichi (Toray Research Center, Inc., Otsu 520-8567, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Amano Hiroshi (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Akasaki Isamu (Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Akasaki Isamu (Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Kojima Kazunobu (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Chichibu Shigefusa F. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Chichibu Shigefusa F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 12  ページ： 124001 (5pp)  発行年： 2020年12月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN系発光ダイオードのキャリア局在化を助けるn-AlGaN層の20nm幅のGaリッチ部の電流経路におけるAlGaNの挙動を明らかにするために,1.0°ミスカットサファイア基板上の密なマクロステップを有するAlN上のn-Al_0.7Ga_0.3N層を用いて詳細な解析を行った。ラザフォード後方散乱で校正された断面走査透過電子顕微鏡を用いて得られたエネルギー分散型X線スペクトルと断面カソードルミネッセンススペクトルから,Gaが豊富な電流経路におけるAlNのモル分率はほぼ2/3であることがわかった。この結果は,他の研究グループの結果と一致しており,Gaが豊富な電流経路で準安定なAl_2/3Ga_1/3Nが生成されていることを示唆している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  型枠 ,  板 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  ガリウム ,  モル分率 ,  *経路 ,  発光ダイオード ,  基板 ,  Rutherford後方散乱 ,  エネルギー分散型回折 ,  陰極線ルミネセンス
準シソーラス用語： AlN ,  テンプレート【型板】 ,  *AlGaN ,  リッチ ,  *電流経路 ,  微傾斜基板 ,  サファイア基板 ,  カソードルミネセンス

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  テンプレート ,  成長 ,  Ga ,  電流経路 ,  解析