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J-GLOBAL ID:202002235848116335   整理番号:20A2763560

クロスバーアレイにおける破壊故障により誘起された強い読取と書込み干渉【JST・京大機械翻訳】

Strong Read and Write Interference Induced by Breakdown Failure in Crossbar Arrays
著者 (7件):
資料名:
巻: 67  号: 12  ページ: 5497-5504  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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sneak電流によるセル対セル干渉は,高密度4F2クロスバーアレイにおける既知で重要な問題である。しかし,正常細胞と高漏れ破壊(BD)細胞の間の干渉はほとんど議論されていない。そのような干渉は,実験とシミュレーションに基づいて,アレイ読取と書き込み収率を劇的に劣化させることを示した。BD干渉のための規則ベースの解析モデルを,異なる干渉モードとそれらの等価回路の定量的理解をレバーすることによって開発した。このモデルは等価精度を達成するが,SPICE回路シミュレータよりも少なくとも100倍速い。干渉の空間依存性に関する顕在統計を提供するために,それをモンテカルロシミュレーションに用いた。その結果,BD細胞の3%だけが,128×128以上のクロスバーアレイサイズに対して,ゼロアレイ収率をもたらすことが分かった。デバイス収率(非BDパーセンテージ)の最小要求は,合理的なアレイ収率を維持するためにアレイサイズと共に増加する。したがって,BD干渉は将来のクロスバーアレイを開発するための最も重要な関心事の一つとして認識されるべきである。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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