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J-GLOBAL ID：202002235936631227   整理番号：20A0042185

GaAs/AlAs量子井戸サブバンドに及ぼすδ-ドーピングアクセプタの拡散の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of δ-doped Acceptor Diffusion on Subbands of GaAs/AlAs Quantum Wells

著者 (7件)： Zheng Weimin (山東大学(威海) 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Huang Haibei (墨爾本大学 化学院,澳大利亜 維多利亜 3010) ,  Li Sumei (山東大学(威海) 信息工程学院,山東 威海,264209) ,  Cong Weiyan (山東大学(威海) 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Wang Aifang (山東大学(威海) 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Li Bin (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083) ,  Song Yingxin (済南市半導体元件実験所,山東 済南,250014)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 40  号： 10  ページ： 1240-1246  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 15nmGaAs/5nmAlAs単一量子井戸のGaAs井戸層中において、それぞれ異なる濃度のベリリウムアクセプタのδ-ドーピングを行った。ベリリウムアクセプタの量子井戸層中の拡散濃度分布は、拡散方程式から数値解した。高温では、GaAs井戸層に拡散するBeアクセプタは電離を起こし、負電荷を持つアクセプタイオンとなり、同時にベクトル量子井戸のサブバンドに正孔を導入する。負に帯電した拡散アクセプタイオンと価電子帯サブバンド中の正孔は、いずれも帯電粒子がGaAs井戸層にクーロンの法則で電場を励起する。比較すれば、無ドープの同構造量子井戸に対して、正孔のSchroedingerに一つの追加的な摂動ポテンシャルを追加し、無ドープの量子井戸の価電子帯のサブバンドを改変した。有効質量と包絡関数近似において、循環反復法を通じて、Schroedinger方程式とPoisson方程式を満たす正孔波関数を数値的に解き、自己無撞着、収束する正孔サブバンドのエネルギー固有値を探った。計算から、この余分な摂動ポテンシャルを考慮し、重い正孔の基底状態サブバンドhhのエネルギーに一つの電子ボルトの変化があり、また、ドーピングアクセプタの線量が増加するにつれ、重い正孔の基底状態サブバンドhhは価電子帯に赤方偏移し、計算結果は実験測定とよく一致した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *量子井戸 ,  基底状態 ,  エンベロープ ,  価電子バンド ,  *ヒ化ガリウム ,  固有値 ,  摂動 ,  電場 ,  高温 ,  イオン ,  有効質量 ,  *ドーピング ,  *アクセプタ ,  ベリリウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  AlAs ,  量子井戸 ,  サブバンド ,  ドーピング ,  アクセプタ ,  拡散