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J-GLOBAL ID：202002235988017455   整理番号：20A2804240

高度に均一なAB積層二層グラフェンの等温成長と積層発展【JST・京大機械翻訳】

Isothermal growth and stacking evolution of highly uniform AB-stacked bilayer graphene

著者 (13件)： SOLIS-FERNANDEZ Pablo (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TERAO Yuri (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KAWAHARA Kenji (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NISHIYAMA Wataru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  UWANNO Teerayut (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  LIN Yung-Chang (AIST, Tsukuba, JPN) ,  YAMAMOTO Keisuke (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAGASHIO Kosuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIBINO Hiroki (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  SUENAGA Kazu (AIST, Tsukuba, JPN) ,  AGO Hiroki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AGO Hiroki (AIST, Tsukuba, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 59th  ページ： 25  発行年： 2020年09月10日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 二層グラフェン(BLG)の積層秩序と電子特性の間に密接な相関がある。これにより,積層順序を正確に制御することにより,独特の物理特性を実現できる。特に,AB積層BLG(AB-BLG)は,調整可能なバンドギャップを与える能力により,電子およびオ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  低速電子回折 ,  *電圧 ,  薄膜 ,  偏析 ,  溶解 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  ねじり変形 ,  薄膜成長 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  バックゲート ,  ゲート電圧 ,  *二層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二層グラフェン ,  成長 ,  発展