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J-GLOBAL ID：202002236046646495   整理番号：20A0143112

純粋および金属修飾六方晶GaN単分子層の水素吸着と貯蔵:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen adsorption and storage of pristine and metal decorated hexagonal GaN monolayer: a first-principles study

著者 (4件)： Chen Guo-Xiang (Xi’an Shiyou Univ. (China)) ,  Li Si-Qi (Xi’an Shiyou Univ. (China)) ,  Fan Xiao-Bo (Xi’an Shiyou Univ. (China)) ,  Zhang Jian-Min (Shaanxi Normal Univ. (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11209  ページ： 1120916-8  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT-D2法)に基づく第一原理計算を用いて,未処理および金属原子(Li,Na,K,Ni,PdおよびPt)修飾GaN単分子層(GaN-ML)上に吸着した水素原子の構造的,エネルギー的および電子的性質を系統的に研究した。結果は,金属修飾GaN-ML基板が,元のGaN-MLよりも水素原子の吸着の著しい増強を示すことを示した。したがって,水素貯蔵のための金属修飾窒化ガリウムの使用は水素貯蔵効率を改善する。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *六方晶系 ,  *単分子層 ,  密度汎関数法 ,  第一原理 ,  水素吸蔵
準シソーラス用語： 水素原子 ,  第一原理計算 ,  *水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 修飾 ,  六方晶 ,  GaN ,  単分子層 ,  水素吸着 ,  貯蔵 ,  第一原理 ,  研究