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J-GLOBAL ID：202002236142466766   整理番号：20A0748661

レニウムドーピングによるp型擬ルミネセンスSb_2Te_3(GeTe)_12において実現された優れた熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Excellent Thermoelectric Performance Realized in p-Type Pseudolayered Sb₂Te₃(GeTe)₁₂ via Rhenium Doping

著者 (6件)： Lou Qing (Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Xu Xiao (Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Huang Yi (Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Zhu Bin (Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Yu Yong (Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  He Jiaqing (Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 3  号： 3  ページ： 2063-2069  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日では,本質的に低い熱伝導率を含む擬層状ゲルマニウムアンチモンテルリド(Sb_2Te_3(GeTe)_n)は,有望な中間温度熱電材料として広く注目されている。しかし,n=12のようないくつかの組成における比較的低い電気的性質は,この系のさらなる研究を制限する。本研究において,Sb_2Te_3(GeTe)_12サンプルの輸送特性は,レニウムドーピングによる最適化された正孔密度のために著しく強化され,力率の促進に寄与した。さらに,ドープ試料の格子熱伝導率は点欠陥と変調Ge析出物のために急激に減少した。結果として,p型擬層状Sb_2Te_3(Ge_0.988Re_0.012Te)_12試料において,超高性能指数zT,773Kにおける約2.25の値を達成した。さらに,球面収差補正透過型電子顕微鏡を適用して,本研究における特性微細構造の観点から,高い熱電性能の属性をさらに研究した。電気的性質を最適化し,格子熱伝導率をReドーピングと同時に低減する本方法は,類似の構造を持つ熱電材料の激しい競争力をもたらすことができる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  析出物 ,  点欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  熱伝導率 ,  *ルミネセンス ,  電気的性質 ,  *ゲルマニウム ,  *レニウム ,  力率 ,  *ドーピング ,  透過型電子顕微鏡 ,  熱電材料
準シソーラス用語： 格子熱伝導率 ,  正孔密度 ,  中間温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱電 ,  Sb_2Te_3(GeTe)_12 ,  レニウム ,  Ge析出物 ,  Ge空孔

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： レニウム ,  ドーピング ,  ルミネセンス ,  GeTe