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J-GLOBAL ID：202002236496895679   整理番号：20A2239508

Ge(111)基板上にMBE成長したGaSe薄膜の平面STM・STEM観察

著者 (7件)： CHEN Tongmin (北陸先端科学技術大学院大) ,  米澤隆宏 (北陸先端科学技術大学院大) ,  村上達也 (北陸先端科学技術大学院大) ,  東嶺孝一 (北陸先端科学技術大学院大) ,  FLEURENCE Antoine (北陸先端科学技術大学院大) ,  大島義文 (北陸先端科学技術大学院大) ,  高村(山田)由起子 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-PB1-20  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 層状材料(LM)は、ファンデルワールスエピタキシー(VDWE)を介してさまざまな基板にエピタキシー成長できることが知られている。しかしながら、成長した薄膜と基板の界面における原子配列(歪み分布や配向性など)は十分に理解されていない。その理...【本文一部表示】

シソーラス用語： エピタクシー ,  界面 ,  核形成 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子ビーム ,  *薄膜 ,  半導体 ,  結晶方位 ,  *透過型走査電子顕微鏡 ,  *MBE成長 ,  歪分布 ,  集束イオンビーム ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  ワイドバンドギャップ ,  ヘテロ構造 ,  *透過型電子顕微鏡法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  MBE成長 ,  GaSe ,  薄膜 ,  STM ,  STEM ,  観察