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J-GLOBAL ID:202002236502325422   整理番号:20A2799792

シリコン源としてSi_3N_4を用いた多孔質反応結合SiCセラミックの作製と特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and properties of porous reaction-bonded SiC ceramic using Si3N4 as silicon source
著者 (8件):
資料名:
巻: 10  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5507A  ISSN: 2589-2347  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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伝統的な多孔質反応結合炭化ケイ素(RBSC)セラミックでは,残留シリコンの現象は,通常,反応物として単原子シリコンの利用により生じ,その高温特性,および耐食性を大きく弱める。本論文では,Si_3N_4を多孔質RBSCセラミックの調製のためのシリコン源として利用した。最終バルク中のSiC相のみをX線で検出し,残留シリコンを避けることを示した。48.3%の多孔性の均質で等方性の細孔が,得られたRBSCセラミックで存在した。その平均細孔径は~1.6μmであったが,細孔スロートサイズは1μm未満であった。多孔性の酸化物結合SiCセラミックと比較して,多孔性RBSCセラミックは,N_2透過性(217m3/(m2・h・h・bar))で,また,垂直温度(35.5±2.3MPa)での曲げ強さ,および1000°C(21.2±1.7MPa)の高温で,優位性を示した。さらに,10wt%H_2SO_4と1wt%NaOHの沸騰溶液に12時間暴露後,多孔質RBSCはそのまま保持でき,酸とアルカリ環境における化学的安定性を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 
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