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J-GLOBAL ID:202002236561238120   整理番号:20A0968894

高品質GaN pn接合マイクロワイヤアレイに基づくウェアラブルおよび超高感度歪センサ【JST・京大機械翻訳】

Wearable and Ultrasensitive Strain Sensor Based on High-Quality GaN pn Junction Microwire Arrays
著者 (6件):
資料名:
巻: 16  号: 16  ページ: e1907461  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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着用可能なエレクトロニクスセンシングデバイスの急速な成長により,人体を監視する柔軟なセンシングデバイスは個人化された医療において大きな有望性を示している。本研究では,異なるアスペクト比と大面積均一性を有する高品質GaN pn接合マイクロワイヤアレイを,容易で反復可能な作製プロセスにより作製した。GaN pn接合マイクロワイヤアレイの圧電係数(d_33)はアスペクト比の増加により7.23から14.46pm V-1に増加し,それはGaNバルク材料のそれより数倍高い。さらに,最も高いd_33を有するGaNマイクロワイヤに基づく柔軟な超高感度歪センサを,10.4Vの最大開回路電圧を達成するために実証して,50msの応答時間で10000サイクル以上の安定出力信号を有する優れた耐久性を提示した。人間の皮膚に取り付けられた柔軟で着用可能なセンサとして,このような高い均一性を持つGaNマイクロワイヤpn接合アレイは,微妙な人間のパルスと運動を正確に監視でき,将来の個人化医療において大きな有望性を示す。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分析機器  ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  ,  発光素子 

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