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J-GLOBAL ID：202002236622873078   整理番号：20A0809681

AlドープZnOアノードを持つ量子ドット発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Quantum dot light-emitting diodes with an Al-doped ZnO anode

著者 (7件)： Jiang Xiaohong (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...) ,  Liu Guo (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...) ,  Tang Liping (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...) ,  Wang Anzhen (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...) ,  Tian Yu (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...) ,  Wang Aqiang (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...) ,  Du Zuliang (Key Lab for Special Functional Materials, Ministry of Education, National&Local Joint Engineering Research Center for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of ...)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 25  ページ： 255203 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムスズを含まない透明電極で作製したハイブリッドZnCdSeS/ZnS量子ドット発光ダイオード(QLED)素子の研究を示した。マグネトロンスパッタリングにより調製したAlドープ酸化亜鉛(AZO)を,異なるスパッタリング圧力を持つ緑色QLED用のアノード透明電極に採用した。Kelvinプローブ力顕微鏡測定は,AZOが約5.0eVの仕事関数を持つことを示した。AZO/ポリ(エチレン-ジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホナート(PEDOT:PSS)界面はスパッタリング圧力により調整でき,正孔のみのデバイスで確認された。低い表面粗さをもつアゾ膜は良好なAZO/PEDOT:PSS界面を形成し,正孔の注入を増加させ,電荷バランスの改善をもたらす。1mTorrのスパッタリング圧力下での最適化QLEDデバイスの最大電流効率,輝度,および外部量子効率は,それぞれ,50.75cd/A~-1,102500cd/m2,および12.94%の値を達成できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  界面 ,  最適化 ,  仕事関数 ,  正孔 ,  電荷 ,  電流効率 ,  輝度 ,  酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  透明電極 ,  *量子ドット ,  酸化インジウムスズ ,  *アノード
準シソーラス用語： 外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlドープZnO ,  アノード ,  量子ドット ,  発光ダイオード