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J-GLOBAL ID：202002236938154944   整理番号：20A1618104

極めて高い暗計数率の条件で動作するSiPMの温度安定性を監視するための実験的方法【JST・京大機械翻訳】

Experimental method to monitor temperature stability of SiPMs operating in conditions of extremely high dark count rate

著者 (3件)： Lucchini Marco (Princeton University, NJ, United States) ,  Musienko Yuri (Notre Dame University, IN, United States) ,  Heering Arjan (Notre Dame University, IN, United States)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 977  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高放射環境(例えば,衝突器実験における検出器)または屋外条件(例えばLIDAR応用)におけるシリコン光多重層(SiPM)の使用は,高レベルの暗計数ノイズを取り扱う必要がある。これらの条件下で出現する望ましくない効果は,絶縁破壊電圧の変動を引き起こす大きな電力消費によるSiPMの自己加熱であり,従って利得とPDEのような操作パラメータに影響する。本論文では,種々のSiPMパッケージの熱放散特性と,非常に高い暗計数率(30GHzより大きい)の下での動作中のSiPMの温度安定性を評価する方法を示す。SiPMが環境と熱平衡にある条件から出発して,LEDによる強い照明下で測定した電流の変化は自己加熱によるSiPMの温度変化に起因する。ある仮定の下で,SiPMの特定のパラメータが知られているならば,温度の局所変化の定量的推定は,温度によるSiPM絶縁破壊電圧の利得,光子検出効率,等価電荷因子,およびドリフトが知られているならば得ることができる。この方法を,種々のSiPMパッケージ構成の熱伝導率を評価するために適用して,それは,非常に高い暗計数率の条件における信頼できる操作のための重要な必要条件である。試験したSiPMパッケージ構成の中で,銅ヒートシンクに結合したセラミック基板から成るものは,100mWの散逸電力に対して0.5°C以下の温度変化で良好な熱放散の点で最良の性能を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  電荷 ,  電流 ,  熱伝導率 ,  熱放射 ,  電力 ,  銅 ,  電力消費 ,  *利得 ,  温度変動 ,  ヒートシンク ,  LIDAR
準シソーラス用語： レーザレーダ ,  絶縁破壊電圧 ,  自己加熱 ,  *暗計数率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiPM ,  暗計数率 ,  自己加熱 ,  LIDAR応用 ,  高放射線環境

分類 (1件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 暗計数率 ,  SiPM ,  温度安定性 ,  実験