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J-GLOBAL ID:202002237078922394   整理番号:20A2217177

単結晶炭化ケイ素におけるフェムト秒レーザ誘起融解とアブレーションの超高速ポンププローブ顕微鏡イメージング【JST・京大機械翻訳】

Ultrafast pump-probe microscopic imaging of femtosecond laser-induced melting and ablation in single-crystalline silicon carbide
著者 (14件):
資料名:
巻: 126  号: 10  ページ: 795  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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単結晶炭化けい素(SiC)上のフェムト秒レーザ誘起相転移とアブレーションの時間的および空間的発展を,約100fsから1nsの時間スケールで空気中でポンププローブ顕微鏡により調べた。最大反射率変化は励起後300fsと1psの間で観察され,これは自由キャリア発生によるもので,Drudeモデル計算は最大自由電子密度が3.3×1021cm-3より大きいことを示した。数ピコ秒の後,その伝播速度が3286m/sと見積もられたバルクに向かって伝播する希薄波の生成の直接的証拠があった。数百ピコ秒と1nsの間の遅延時間で,特徴的過渡リングパターンを明確に観察し,アブレーション層の前面と非アブレーション基板の界面で反射されたプローブレーザパルスの光学的干渉に関連した。6H-SiCにおけるアブレーションフロントの推定膨張速度は,他の半導体および誘電体に対して報告されたものと同等または遅いことが分かった。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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レーザ照射・損傷 

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