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J-GLOBAL ID：202002237106948580   整理番号：20A2754981

シリコン結晶中のヒ素欠陥のX線光電子分光法における内殻準位シフト:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Core-level shifts in x-ray photoelectron spectroscopy of arsenic defects in silicon crystal: A first-principles study

著者 (3件)： Yamauchi Jun (Faculty of Science and Technology, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama-shi, Kanagawa 223-8522, Japan) ,  Yoshimoto Yoshihide (Department of Computer Science, Graduate School of Information Science and Technology, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan) ,  Suwa Yuji (Lumada Data Science Lab., Research Group, Hitachi, Ltd., Higashi-koigakubo 1-280, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 11  ページ： 115301-115301-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スーパーセルサイズの注意深い評価によって,0.1eVの高精度の第一原理計算によって,シリコン中のAs欠陥に対するヒ素(As)3dコアレベルX線光電子分光法(XPS)結合エネルギーと形成エネルギーを系統的に研究した。Asに関しては,大きなサイズ系を有するXPS結合エネルギーに対する自己無撞着計算の収束を確実にするため,原子価および球面正孔近似として3d状態を有する擬ポテンシャルを採用した。調べたモデル欠陥のいくつかは3重配位As原子を持つ。これらのAs原子のXPS結合エネルギーは,中性電荷状態で-0.66eVから-0.73eVまでの狭い領域に分布する。負電荷状態のこのような欠陥は約0.1eV低いXPS結合エネルギーを持つ。XPS結合エネルギーと電気的活性から,空格子点と2つの隣接置換As原子(As_2V)の負に帯電した欠陥は,参照置換AsピークからBEMと呼ばれる-0.8eVで実験的に観測されたピークに対する最も可能性のある候補であった。実験条件下で,As_2V-,2-doは電子を深く捕捉せず,電気的に不活性であることを見出した。また,バンドギャップ近くの表面状態がXPS結合エネルギーを低下させ,これは,BELと呼ばれる-1.2eVでの実験ピークと同様に低い結合エネルギーで欠陥を発生させるかもしれないことを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  正孔 ,  *ケイ素 ,  *ヒ素 ,  近似法 ,  原子価 ,  負電荷 ,  *X線光電子分光法 ,  *内殻準位 ,  バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  擬ポテンシャル ,  荷電状態 ,  *結晶性シリコン
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン結晶 ,  ヒ素 ,  欠陥 ,  X線光電子分光法 ,  内殻準位 ,  シフト ,  第一原理 ,  研究