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J-GLOBAL ID:202002237317839209   整理番号:20A0063571

可視光光触媒H_2生成のための多孔質,窒素空孔赤色G-C_3N_4における著しく狭いバンドギャップと増強された電荷分離【JST・京大機械翻訳】

Significantly narrowed bandgap and enhanced charge separation in porous, nitrogen-vacancy red g-C3N4 for visible light photocatalytic H2 production
著者 (5件):
資料名:
巻: 504  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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調整可能な窒素空格子点を有する多孔質グラファイト窒化炭素(g-C_3N_4)を,硬質テンプレート法と組み合わせた高圧および高温(HPHT)プロセスによって調製した。2配位窒素空格子点の濃度は,周囲圧力で必要な温度よりもはるかに高い温度で調整できる。HPHT処理後に生成した試料は,層間距離の減少,価電子帯(VB)の上方シフトおよび伝導帯(CB)の下方シフトを示し,電荷キャリア分離および移動の効率の増加と同様に,1.88eVまでの狭いバンドギャップを示した。その結果,比表面積の増加による多孔質空孔リッチg-C_3N_4は,バルクg-C_3N_4と比較して,光触媒H_2発生において13.5倍の増強を示した。著しく増強された光触媒H_2生成の基礎となる機構をさらに提案した。このプロセスは,多孔質構造の同時実現による窒化炭素材料の欠陥工学に対して効率的であり,優れた性能のための他の材料に拡張される可能性がある。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  半導体の格子欠陥 

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