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J-GLOBAL ID：202002237405951170   整理番号：20A0198849

セレン化アンチモンからの光ルミネセンスの起源【JST・京大機械翻訳】

Origin of photoluminescence from antimony selenide

著者 (7件)： Grossberg M. (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia) ,  Volobujeva O. (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia) ,  Penezko A. (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia) ,  Kaupmees R. (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia) ,  Raadik T. (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia) ,  Krustok J. (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia) ,  Krustok J. (Division of Physics, Tallinn University of Technology, Ehitajate Tee 5, 19086, Tallinn, Estonia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 817  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化アンチモン(Sb_2Se_3)吸収体材料は,その優れた光電子特性と低い処理温度のために,低コスト光起電力に対して大きな可能性を有している。本研究では,Sb_2Se_3多結晶の詳細な温度と励起パワー依存光ルミネセンス(PL)分析を提示し,研究した材料における支配的な放射再結合機構と関連欠陥を明らかにした。低温(T=10K)PLスペクトルは0.94eV,1.10eVおよび1.24eVの3つのバンドから成り,最後のものはSb_2Se_31.32eVの低温バンドギャップに近い位置にあった。1.24eVと0.94eVにおけるPLバンドはドナー-アクセプタ対再結合に起因することが分かった。第一はより離れた対を含む1.24eVで,第二は深いアクセプタ-深いドナー対再結合から生じる0.94eVにあった。1.10eVにおける第三のPLバンドは結晶粒界に関連することを提案した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  光電子 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  光起電力 ,  励起 ,  ドナー ,  吸収体 ,  アクセプタ ,  結晶粒界 ,  多結晶 ,  低温 ,  再結合 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sb_2Se_3 ,  光ルミネセンス ,  欠陥 ,  ドナー-アクセプタ対

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： セレン化アンチモン ,  光ルミネセンス ,  起源