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J-GLOBAL ID：202002237426787514   整理番号：20A0364941

c軸とab面の両方向に柱状欠陥を導入したYBCO薄膜のピン止め特性

著者 (5件)： 榎畑龍星 (熊本大 大学院自然科学教育部) ,  日高優夏 (熊本大 大学院自然科学教育部) ,  入江将大 (熊本大 大学院自然科学教育部) ,  末吉哲郎 (熊本大 大学院自然科学教育部) ,  藤吉孝則 (熊本大 大学院自然科学教育部)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)
巻： 45  ページ： 91 (WEB ONLY)  発行年： 2019年11月23日 
JST資料番号： U0757A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： イットリウムバリウム銅酸化物 ,  *YBCO薄膜 ,  *格子欠陥 ,  *磁束ピン止め ,  臨界電流密度 ,  重イオン照射 ,  角度依存性 ,  高温超伝導体 ,  磁場 ,  *柱状欠陥
準シソーラス用語： YBCO

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： C軸 ,  両方向 ,  柱状欠陥 ,  YBCO薄膜 ,  ピン止め