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J-GLOBAL ID:202002237451800004   整理番号:20A0957827

III-V背面エミッタ太陽電池におけるAlInP窓設計の重要な役割【JST・京大機械翻訳】

The Critical Role of AlInP Window Design in III-V Rear-Emitter Solar Cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 758-764  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,変成GaAs_yP_1-yを用いたモデリングと実験を通して実証されたように,再生エミッタ太陽電池における短い回路キャリア収集に関する窓設計の重要な役割を強調した。最終的に,窓設計が慎重に考慮されなければ,窓/空気界面でのFermi準位ピン止めによって引き起こされる表面消耗は,有効窓/ベース界面再結合速度の大きな増加をもたらす活性収集の領域に拡張できる。これを実験的に示し,集積内部量子効率(IQE)に基づいて,8.1mA/cm2のAM1.5G光電流損失または約50%の可能性のあるAM1.5G光電流損失をもたらすことを実験的に示した。関連IQEモデリングと曲線あてはめは,GaAs_0.75p_0.25/Al_0.64In_0.36p界面における有効IRVが,窓が十分に厚くないか,または窓層内の表面空乏化を完全に含むためにドープされると,多重桁増加することを示した。ドーピングと表面Fermiピン止めエネルギー準位の関数としての表面空乏深さの計算は,窓の厚さの基本的限界への洞察を与える。これにより,Al_0.64In_0.36p表面ピン止め準位の推定が,伝導帯端の下で少なくとも1.25eV,またはバンドギャップの底半分において可能になった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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