文献
J-GLOBAL ID:202002237483943934   整理番号:20A2239283

非柱状単位層構造を有する層状III族モノカルコゲナイド薄膜のMBE成長

MBE growth of layered group-3 monochalcogenide thin films with non-prismatic monolayer structure
著者 (9件):
資料名:
巻: 67th  ページ: ROMBUNNO.15a-A404-7  発行年: 2020年02月28日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
本文一部表示:
本文一部表示
文献の本文または文献内に掲載されている抄録の冒頭(最大100文字程度)を表示しています。
非表示の場合はJDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌登載から半年~1年程度経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
【背景・目的】カルコゲナイド系層状物質は組成や層数、層間積層構造、単位層構造などによって多様な物性を示すため、次世代の光・電子デバイスへの応用が期待される[1]。カルコゲナイド系層状物質の一種であるGaSeやInSeはそれぞれ約2eVと約1...【本文一部表示】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  トランジスタ  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

前のページに戻る