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J-GLOBAL ID：202002237483943934   整理番号：20A2239283

非柱状単位層構造を有する層状III族モノカルコゲナイド薄膜のMBE成長

MBE growth of layered group-3 monochalcogenide thin films with non-prismatic monolayer structure

著者 (9件)： 米澤隆宏 (北陸先端科学技術大学院大) ,  村上達也 (北陸先端科学技術大学院大) ,  東嶺孝一 (北陸先端科学技術大学院大) ,  CHEN Tongmin (北陸先端科学技術大学院大) ,  新田寛和 (北陸先端科学技術大学院大) ,  久瀬雷矢 (北陸先端科学技術大学院大) ,  FLEURENCE Antoine (北陸先端科学技術大学院大) ,  大島義文 (北陸先端科学技術大学院大) ,  高村(山田)由起子 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-A404-7  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景・目的】カルコゲナイド系層状物質は組成や層数、層間積層構造、単位層構造などによって多様な物性を示すため、次世代の光・電子デバイスへの応用が期待される[1]。カルコゲナイド系層状物質の一種であるGaSeやInSeはそれぞれ約2eVと約1...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  界面 ,  酸化 ,  電子顕微鏡観察 ,  *薄膜 ,  表面構造 ,  インジウム ,  ガリウム ,  セレン ,  ヒ化ガリウム ,  結晶度 ,  *カルコゲン化物 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *MBE成長 ,  原子間力顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  構造

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 層構造 ,  層状 ,  III族 ,  カルコゲナイド ,  薄膜 ,  MBE成長