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J-GLOBAL ID：202002237491181386   整理番号：20A1057482

広同調範囲応用のためのディジタル制御リング発振器【JST・京大機械翻訳】

Digitally-Controlled Ring Oscillator for Wide Tuning Range Applications

著者 (2件)： Askari Shirin (Shahid Bahonar University of Kerman, Kerman, Iran) ,  Saneei Mohsen (Shahid Bahonar University of Kerman, Kerman, Iran)
資料名： Radioelectronics and Communications Systems  (Radioelectronics and Communications Systems)
巻： 63  号： 2  ページ： 55-65  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4886A  ISSN： 0735-2727  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,類似構造を持つが異なる構成セルを持つ二つのディジタル制御リング発振器(DROs)を提案した。これらの提案したDROsは5段階を含み,各段階は10の並列遅延セルを含んでいる。さらに,各ステージは出力周波数を調整するための微細で粗い部品を持っている。提案した設計は広い周波数範囲と高い周波数を持つ。第1のDROの周波数範囲は1.566から20.25GHz(92.6%)まで変化し,第2のDROでは,その周波数は2.218から22.86GHz(90.31%)であった。微細および粗い段階に対する全ての可能なディジタル符号を考慮することにより,第一のDROの電力消費は1.1から13.64mWに変化し,第二のDROに対するこの値は144.1μWから1.76mWに変化した。20.25GHzの中心周波数と1MHzオフセットにおける最初のDROの位相雑音は-76.24dBc/Hzに等しく,10MHzオフセットにおいて位相雑音は-104dBc/Hzに等しい。22.86GHzの中心周波数と1MHzオフセットにおける第2のDROの位相雑音は-66.64dBc/Hzに等しく,10MHzオフセットにおいて位相雑音は-95.39dBc/Hzに等しい。提案したDROsを,TSMC65nm CMOS技術と1.2V電源におけるCadenceソフトウェアを用いてシミュレーションした。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ディジタル制御 ,  電力消費 ,  ソフトウェア ,  ディジタル方式 ,  *リング発振器 ,  位相雑音 ,  CMOS
準シソーラス用語： 中心周波数 ,  *広同調範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 広同調範囲 ,  応用 ,  ディジタル制御 ,  リング発振器