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J-GLOBAL ID：202002237556975155   整理番号：20A1105673

1,4-ジオキサン分解のための光電気触媒性能を改善した光アノードとしての炭素量子ドット修飾TiO_2/G-C_3N_4膜電極【JST・京大機械翻訳】

Carbon quantum dots-decorated TiO₂/g-C₃N₄ film electrode as a photoanode with improved photoelectrocatalytic performance for 1,4-dioxane degradation

著者 (6件)： Su Yuehan (Guangdong Provincial Key Laboratory of Environmental Pollution Control and Remediation Technology, School of Environmental Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China) ,  Liu Guangli (Guangdong Provincial Key Laboratory of Environmental Pollution Control and Remediation Technology, School of Environmental Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China) ,  Zeng Cuiping (Guangdong Provincial Key Laboratory of Environmental Pollution Control and Remediation Technology, School of Environmental Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China) ,  Lu Yaobin (Guangdong Provincial Key Laboratory of Environmental Pollution Control and Remediation Technology, School of Environmental Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China) ,  Luo Haiping (Guangdong Provincial Key Laboratory of Environmental Pollution Control and Remediation Technology, School of Environmental Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China) ,  Zhang Renduo (Guangdong Provincial Key Laboratory of Environmental Pollution Control and Remediation Technology, School of Environmental Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China)
資料名： Chemosphere  (Chemosphere)
巻： 251  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0843A  ISSN： 0045-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,炭素量子ドット(CQDs)を用いて,TiO_2/g-C_3N_4(TCN)膜電極を修飾した。透過型電子顕微鏡(TEM),走査電子顕微鏡(SEM),UV-vis拡散反射分光法(DRS),光ルミネセンス(PL)および電気化学インピーダンス分光法(EIS)を用いて,TiO_2/g-C_3N_4/CQDナノロッドアレイ(TCNC NRA)膜の形態的,光学的および電気化学的性質を調べた。光アノードの改善された光学的性質,光電気化学的性質および光電気触媒(PEC)性能は,TCN NRA膜上にCQDをドーピングすることによって観察できる。TiO_2 NRAとTCN NRAと比較して,TCNC NRAにおいて,2.47eVの狭いバンドギャップと光誘起電子-正孔対のより長い寿命が観察された。可視光照射と1.2Vのバイアス電圧の下で,TCNC NRAs電極によるPECプロセスの光電流密度と1,4-ジオキサン(1,4-D)除去率はそれぞれ0.16mA/cm2と77.9%に達し,それはTCN NRA電極の2.5倍と1.5倍であった。TCNC NRAs電極は,5サイクル試験の間,1,4-D除去率の>75%を保つことができた。TCNC NRAs電極による高いPEC性能は,電荷分離の増強と典型的なヘテロ接合からZ-スキームへの電子移動機構の変化に起因すると考えられ,活性種の生成を増加させ,O_2からの支配的な反応種を変化させる。著者らの実験結果は,1,4-Dの分解を研究し,効率的なPEC材料を開発するために有用である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  走査電子顕微鏡 ,  *炭素 ,  ドーピング ,  電流密度 ,  *膜電極 ,  電荷分離 ,  バンドギャップ ,  ナノロッド ,  酸素複素環化合物
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  可視光照射 ,  ナノロッドアレイ ,  Z-スキーム ,  *光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光電気触媒反応 ,  TiO_2ナノロッド ,  グラファイト窒化炭素 ,  炭素量子ドット ,  14-ジオキサン

分類 (2件)： その他の汚染原因物質  (SB05040W) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

物質索引 (1件)： 1,4-ジオキサン

タイトルに関連する用語 (8件)： ジオキサン ,  分解 ,  光電気 ,  触媒性能 ,  光アノード ,  炭素量子ドット ,  修飾 ,  膜電極