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J-GLOBAL ID：202002237629507067   整理番号：20A1687184

超高真空システムにおけるAlGaN光電陰極の活性化機構の研究【JST・京大機械翻訳】

Research on activation mechanism of AlGaN photocathodes in an ultra-high vacuum system

著者 (5件)： Tang Guanghua (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Tang Guanghua (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, China) ,  Yan Feng (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Chen Xinlong (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, China) ,  Chen Xinlong (State Key Laboratory of Applied Optics, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130033, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 118  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,GaAs,GaNおよびAlGaN光電陰極のようなIII-V半導体光電陰極の大部分が,室温でCs/Oによって活性化される。AlGaN光電陰極の性能に及ぼす種々の活性化条件の影響を分析して,表面活性化の機構を調査するために,5つのAlGaN光電陰極を10-8Paの圧力の下で超高真空システムにおいて種々の条件で活性化した。3つの試料を,室温(約25°C),高温(約60°C),低温(約50°C)で,異なる温度でCs/Oによって活性化した。1つのサンプルを,室温でRb/Oによって活性化した。さらに,1つ以上の試料を室温でCs/Oによって活性化し,活性化後のAlGaN光電陰極の安定性を研究した。結果は,AlGaN光電陰極の性能が活性化条件によって大いに影響され,機構を分析した。AlGaN光電陰極の安定性に対する活性化後の過剰なCs処理の影響を調べた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *超高真空 ,  低温 ,  半導体 ,  セシウム ,  ルビジウム ,  ヒ化ガリウム ,  *光電陰極 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  表面活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： AlGaN光電陰極 ,  活性化 ,  安定性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高真空 ,  AlGaN ,  光電陰極 ,  活性化 ,  研究