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J-GLOBAL ID：202002237632463090   整理番号：20A0438073

高電力応用のためのAlGaN/GaN MOS-HEMTのDCおよびRF解析【JST・京大機械翻訳】

DC and RF Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMT for High Power Application

著者 (4件)： Kumar J. S. Raj (Karunya Institute of Technology and Sciences,Coimbatore,India) ,  Nirmal D. (Karunya Institute of Technology and Sciences,Coimbatore,India) ,  Arivazhagan L. (Karunya Institute of Technology and Sciences,Coimbatore,India) ,  Pandit Pratik P (Karunya Institute of Technology and Sciences,Coimbatore,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICSPC  ページ： 380-383  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上に成長させたゲート誘電体としてHf02を用いた新しいAlGaN/GaN 金属-オキシド-半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)の設計とシミュレーションに成功した。これにおいて,著者らは,HEMTとMOS-HEMTの間の比較を示した。それは最終的にMOS-HEMTが,ある場合においてHEMTより良いことを証明した。SiO2,Gd2O3,Al2O3などのゲート酸化物について異なる重要な研究がなされているが,Hf02はGaNベースのプラットフォーム[3],[4]上の漏れ電流の低減に有効であることが証明された。ここでは,デバイス性能に基づいて,MOS-HEMTのIdsはVGS=6Vで0.25Aであり,0.2AのHEMTより比較的高い。得られたMOS-HEMTは,Vgs=0およびVds=5でのドレイン電流0.38Aの改善された特性を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *HEMT ,  二酸化ケイ素 ,  *電力応用 ,  半導体 ,  酸化ガドリニウム ,  漏れ電流 ,  *窒化ガリウム ,  ゲート絶縁膜 ,  酸化物 ,  アルミナ
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ゲート酸化膜 ,  シリコンウエハ ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電力応用 ,  AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  HEMT ,  DC ,  RF ,  解析