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J-GLOBAL ID：202002237672135262   整理番号：20A0277390

超広バンドギャップ薄層の熱伝導率 高Al含有量AlGaNとβ-Ga_2O_3【JST・京大機械翻訳】

Thermal conductivity of ultra-wide bandgap thin layers - High Al-content AlGaN and β-Ga₂O₃

著者 (19件)： Tran Dat Q. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Tran Dat Q. (Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzen, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Blumenschein Nicholas (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, USA) ,  Mock Alyssa (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Mock Alyssa (Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzen, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Mock Alyssa (THz Materials Analysis Center (THeMAC), Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Mock Alyssa (National Research Council Postdoctoral Fellow Residing at Naval Research Laboratory, Washington DC, WA, USA) ,  Sukkaew Pitsiri (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Sukkaew Pitsiri (Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzen, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Zhang Hengfang (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Zhang Hengfang (Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzen, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Muth John F. (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, USA) ,  Paskova Tania (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, USA) ,  Paskov Plamen P. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Paskov Plamen P. (Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzen, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Paskov Plamen P. (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, USA) ,  Darakchieva Vanya (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Darakchieva Vanya (Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzen, Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden) ,  Darakchieva Vanya (THz Materials Analysis Center (THeMAC), Linkoping University, 581 83, Linkoping, Sweden)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過渡的熱反射(TTR)技術を用いて,β-Ga_2O_3と高Al含有量Al_xGa_1-xN半導体の熱伝導率を研究した。それは,高出力デバイス応用のための非常に有望な材料である。実験データを,すべての関連するフォノン散乱過程を考慮して,Callawayのモデルで解析した。著者らの結果は,高Al含有量Al_xGa_1-xNおよび(-201)β-Ga_2O_3の面外熱伝導率は,GaNまたはAlNのそれよりも同じ桁および約1桁低いことを示した。低い熱伝導率は,Al_xGa_1-xNにおける支配的フォノン-合金散乱とβ-Ga_2O_3における強いUmklappフォノン-フォノン散乱に起因する。また,フォノン-境界散乱は,高温でさえ,薄いβ-Ga_2O_3とAl_xGa_1-xN層において不可欠であり,熱伝導率は,一般的な1/T温度依存性から強く逸脱することがわかった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 散乱 ,  熱反射 ,  半導体 ,  窒化アルミニウム ,  出力装置 ,  高温 ,  フォノン ,  温度依存性 ,  *薄膜 ,  合金 ,  *熱伝導率 ,  *窒化ガリウム ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 熱伝導率 ,  Ga_2O_3 ,  AlGaN

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンドギャップ ,  薄層 ,  熱伝導率 ,  Al含有量 ,  AlGaN