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J-GLOBAL ID：202002237758655645   整理番号：20A1961918

フッ素官能化ゲルマネンナノリボンの電子特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic Properties of Fluorine Functionalized Germanene Nanoribbons

著者 (4件)： Kharadi Mubashir A. (University of Kashmir,Department of Electronics and Instrumentation Technology,Srinagar,J&K,India) ,  Malik Gul Faroz A. (University of Kashmir,Department of Electronics and Instrumentation Technology,Srinagar,J&K,India) ,  Khanday Farooq A. (University of Kashmir,Department of Electronics and Instrumentation Technology,Srinagar,J&K,India) ,  Shah Khurshed A. (S. P. College Cluster University,Department of Physics,Srinagar,J&K,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI DCS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリセンとゲルマネンは,キャリアの高い移動度と速度により将来の電子デバイスの有望な材料である。デバイス実装のためのこれらの材料の進歩は,それらのバンドギャップの欠如によって妨げられてきた。本研究では,ジグザグ型のゲルマニウムナノリボンにおけるバンドギャップ生成法を提案した。ゲルマニウムナノリボンを官能化するためにフッ素原子を用いた。著者らの計算は非平衡Green関数と組み合わせた密度汎関数理論に基づいている。本研究では,ナノリボンの幅(原子数)に対するバンドギャップとキャリアの有効質量の依存性を示した。さらに,フッ素官能化ジグザグゲルマニウムナノリボンの安定性を評価し,-1.60eV/□の生成エネルギーで,フッ素官能化がナノリボンの安定性を改善することを観測した。得られた結果は,高性能電界効果トランジスタの実用化のための材料としてのフッ素官能化ゲルマニウムナノリボンの使用可能性を示唆した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *フッ素 ,  ゲルマニウム ,  FET【トランジスタ】 ,  折れ線 ,  有効質量 ,  密度汎関数法 ,  *官能化 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  電子素子 ,  形成エネルギー ,  非平衡Green関数 ,  シリセン ,  *ゲルマネン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： フッ素 ,  官能化 ,  電子