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J-GLOBAL ID：202002237903672396   整理番号：20A2571315

強磁場下の二次元電子ガスによる電気接点近傍の電流分布

Current Distributions in the Vicinity of Electrical Contacts with a Two Dimensional Electron Gas under High Magnetic Fields

著者 (2件)： HIRAI Hiroshi (National Inst. of Technol. (KOSEN), Gunma Coll., Maebashi, JPN) ,  SHIMADA Hiroshi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 89  号： 11  ページ： 114701.1-114701.7  発行年： 2020年11月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元電子ガスによる電極近傍の電流分布を,GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面でのHall-bar型試料の縦抵抗ρ_xxとHall抵抗率ρ_xyの低温測定により調べた。Drude理論と共形写像を用いた実験結果に基づいて,電流分布を計算した。その結果,電流分布は1つのパラメータγだけによって決定された。γ(B)を実験結果から得た場合,高移動度試料でB>0.3Tでγ≒1と決定した。これは,電極近くの電流分布がこの磁場範囲で大きく変化しないことを意味する。応答-電流密度J_RとFermi-表面電流密度J_Fを示し,電極近傍の電流分布を視覚的に示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強磁場 ,  *二次元電子ガス ,  *電気接点 ,  *電流分布 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヘテロ接合 ,  電気抵抗 ,  低温 ,  移動度 ,  Fermi面 ,  固体論
準シソーラス用語： Hall抵抗率 ,  高移動度 ,  Drude理論

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (34件)：

• F. Stern and W. E. Howard, Phys. Rev. 163, 816 (1967).
• T. Ando, Y. Matsumoto, and Y. Uemura, J. Phys. Soc. Jpn. 39, 279 (1975).
• S. Kawaji and J. Wakabayashi, in Physics in High Magnetic Fields, ed. S. Chikazumi and N. Miura (Springer, Berlin, 1980) p. 284.
• K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980).
• D. H. Chae, W. S. Kim, T. Oe, and N. Kaneko, Metrologia 55, 645 (2018).

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁場 ,  二次元電子ガス ,  電気接点 ,  近傍 ,  電流分布