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J-GLOBAL ID：202002237927141209   整理番号：20A2260397

フォールトトレラントLLCトポロジーのための動的周波数変位スキーム【JST・京大機械翻訳】

Dynamical Frequency Displacement Scheme for Fault-tolerant LLC Topology

著者 (3件)： CHENG Chi Man (Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute,Integrated Circuits and Systems,Hong Kong,China) ,  SHUM Tak Lok (Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute,Integrated Circuits and Systems,Hong Kong,China) ,  WONG Shek Mong (Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute,Integrated Circuits and Systems,Hong Kong,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICEPT  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)は,優れたJohnsonの性能指数を持つ広い半導体バンドギャップのために次世代電力変換器を実装するための有望な候補である。GaN HEMTは過去10年にわたって顕著に成熟し,能動電子走査アレイ(AESA)レーダシステム[2]から超エコフレンドリー電力変換器[3]までの広範囲の応用における性能革命への道を開いた。本研究では,深層学習ベースマイグレーション制御(DLM)と計算フリーマイグレーション制御(CFM)により補完されたGaN&SiliconハイブリッドフォールトトレラントLLCトポロジーを紹介した。この組合せは,提案したトポロジーの固有故障回復メカニズムを利用して,故障システムから回復する変換器を,コストの分数でN+1冗長性電力システムに,そして,故障点を低減した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *位相幾何学 ,  半導体 ,  変換器 ,  故障 ,  冗長性 ,  電力系統 ,  性能指数 ,  電力変換器 ,  窒化ガリウム ,  *フォールトトレランス ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  エコフレンドリー ,  深層学習 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： フォールトトレラント ,  トポロジー ,  変位 ,  スキーム