文献
J-GLOBAL ID:202002238034318360   整理番号:20A2018281

グリーンおよびブルー波長に到達するワイドバンドギャップ2D層状半導体の合成と応用【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and Applications of Wide Bandgap 2D Layered Semiconductors Reaching the Green and Blue Wavelengths
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: 1777-1814  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5669A  ISSN: 2637-6113  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
層状構造を有する二次元半導体は,現在最も広く研究されている材料である。2D層状半導体のユニークな構造形態は,トランジスタ,光検出器,太陽電池,発光素子,分子センサ,および光学イメージングセンサのような次世代ナノデバイスにおける重要成分として,他の既存の材料よりもいくつかの利点を提供する。しかし,これらの研究の大部分は,赤および赤外領域で発光/吸収する狭いバンドギャップ半導体(バンドギャップE_g<2eV)に集中している。最近,グリーンおよび青色波長領域に対するエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおける応用に大きな可能性を示すため,多くの研究が広いバンドギャップ2D層状半導体に焦点を合わせてきた。このレビューは,GaS,GaSe,InSe,SnS_2,GeSe_2,HfS_2,PbI_2,Ruddlesden-Popperペロブスカイト,MoO_3,V_2O_5,Sr_2Nb_3O_10などを含む広いバンドギャップ半導体として実験的に証明された2D層状材料を要約した。。”このレビューは,GaS,GaSe,InSe,Sn_2,GeSe_2,HfS_2,PbI_2,Ruddlesden-Popperペロブスカイト,MoO_3,V_2O_5,Sr_2Nb_3O_10などを含む。最初に,上記ワイドバンドギャップ2D材料の結晶構造の簡単な紹介を提供した。第2に,バンドギャップ変調のための様々な戦略を概説し,層数,歪,欠陥およびドーピング,および合金化のような構造から特性への2D半導体の強力な同調性を実証した。第3に,著者らは,剥離,気相堆積,溶液相合成,および二段階成長を含む,そのような広い範囲の材料を合成するために開発された現在の一般的な成長方法と技術を要約した。次に,エレクトロニクス,光検出器,太陽電池,発光ダイオード,および光電気化学触媒反応における広いバンドギャップに関連するいくつかの刺激的な応用を強調した。最後に,この分野における現在の課題と将来の開発に関する展望を提供した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体結晶の電子構造 

前のページに戻る