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J-GLOBAL ID：202002238100584376   整理番号：20A2040785

GaAsナノワイヤのBe,TeおよびSiドーピング:理論と実験【JST・京大機械翻訳】

Be, Te, and Si Doping of GaAs Nanowires: Theory and Experiment

著者 (4件)： Dubrovskii Vladimir G. (St. Petersburg State University, Russia) ,  Hijazi Hadi (ITMO University, Russia) ,  Goktas Nebile Isik (Department of Engineering Physics, McMaster University, Ontario, Canada) ,  LaPierre Ray R. (Department of Engineering Physics, McMaster University, Ontario, Canada)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 31  ページ： 17299-17307  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体法で成長させたIII-Vナノワイヤの制御可能なドーピングは,挑戦的な課題のままである。同じ材料の平面層とは対照的に,ドーパントは主に触媒液滴を通してナノワイヤに取り込まれた。蒸気-液体-固体III-Vナノワイヤにおけるドーピングプロセスの熱力学理論を提示し,これは,公称ドーピング,材料フラックス,および温度に対するナノワイヤ中のドーピングレベルを明確に提供した。ドーピングレベルは成長条件に直接関係し,ナノワイヤ成長に用いるエピタキシー技術に強く依存することを示した。p型Beドーピング,n型Teドーピング,および成長環境に依存するp型またはn型のいずれかであるGaAsナノワイヤのSiドーピングに関する実験データを提示し,解析した。モデルとデータの良好な相関を得た。BeとTeのドーピングが,名目上のものと比べて,GaAsナノワイヤ中のドーピングレベルを低下させ,Siドーピングが,分子線エピタキシーのp型から水素化物気相エピタキシーのn型へどのように変化するかを説明した。これらの結果は,GaAsおよび他のIII-Vナノワイヤの制御可能なp型およびn型ドーピングのための基本的理解および実用的なツールの開発に有用である。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  エピタクシー ,  熱力学 ,  *ケイ素 ,  *テルル ,  *ベリリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  MBE成長 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 成長条件 ,  n型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  Be ,  Te ,  Si ,  ドーピング ,  理論 ,  実験