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J-GLOBAL ID：202002238134155856   整理番号：20A1751236

3Dウエハレベルパッケージ(WLP)の静的弾性応力解析による機械的剥離プロセスに関する研究【JST・京大機械翻訳】

A Study on the Mechanical Debonding Process through Static-Elastic Stress Analysis for 3-D Wafer Level Packages (WLPs)

著者 (7件)： Lee Hyeong-Gi (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea) ,  Kim Dae-Sung (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea) ,  Cho Jung-Hyun (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea) ,  Lee Jung-Hyuk (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea) ,  Park Jae-Yong (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea) ,  Kim Min-Ho (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea) ,  Lee Jae-Wook (Samsung Electronics Co., Ltd,Cheonan Manufacturing Engineering Team,Cheonan-si,Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECTC  ページ： 303-308  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロセス条件を最適化することにより,HBM(高帯域幅メモリ)のスループット収率を改善するために,一時的キャリア剥離プロセスの応力分布解析を行った。本研究では,静的弾性片持梁のような機械的剥離プロセスの理論モデルを構築した。その結果,ウエハエッジの近傍に最大応力を適用した。著者らは,実際の条件と現場実験の下で数値シミュレーションを通して応力を緩和する最適力組合せを見出し,新しい標準プロセス条件を導いた。最適化した剥離条件をHBM製品の大量生産に適用し,ウエハ亀裂を達成できなかった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *応力解析 ,  記憶装置 ,  亀裂 ,  最適化 ,  大量生産 ,  *弾性 ,  片持梁 ,  スループット ,  応力分布 ,  現場試験 ,  *三次元
準シソーラス用語： 理論モデル ,  数値シミュレーション ,  *ウエハレベルパッケージ ,  最大応力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3D ,  ウエハレベルパッケージ ,  WLP ,  弾性応力 ,  解析 ,  プロセス ,  研究